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STU9NC80ZI

配单专家企业名单
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  • STU9NC80ZI
    STU9NC80ZI

    STU9NC80ZI

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • 原厂原装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • STU9NC80ZI
    STU9NC80ZI

    STU9NC80ZI

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • I-MAX220

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STU9NC80ZI
    STU9NC80ZI

    STU9NC80ZI

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 7844

  • TO220

  • 15+

  • -
  • 绝对公司原装现货

  • STU9NC80ZI
    STU9NC80ZI

    STU9NC80ZI

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • I-MAX220

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STU9NC80ZI
    STU9NC80ZI

    STU9NC80ZI

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-220F

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STU9NC80ZI 技术参数
  • STU9N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):900 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):315pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:IPAK(TO-251) 标准包装:75 STU9N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):780 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):320pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:IPAK(TO-251) 标准包装:75 STU9HN65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):820 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):325pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU95N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU95N2LH5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.9 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.4nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1817pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STUSA-170 STUSB02EQR STUSB03EDEMOBO STUSB03EQR STUSB06EHTR STUSB1600AQTR STUSB1600QTR STUSB1602AQTR STUSB1602QTR STUSB4700QTR STUSB4710AQTR STUSB4710QTR STUSBCD01BJR STV0674T100 STV0684 STV08 STV0974E/TR STV0976
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