STW80H150C

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功能描述
SCHOTTKY RECTIFIER 150V TO-247AD
制造商
smc diode solutions
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
二极管配置
1 对共阴极
二极管类型
肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
150V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）
40A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
910mV @ 40A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
300μA @ 150V
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AD
标准包装
1

STW80H150C 技术参数

STW7NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW7N95K3 功能描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1031pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW7N90K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-3 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STW7N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1050V（1.05kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW78N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 69A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:69A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32 毫欧 @ 34.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:203nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9000pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 STW81200T STW81200TR STW82100BTR STW82101B STW82101BTR STW82102B STW82102BTR STW82103B STW82103BTR STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW8B12C-AABL STW8C2SA-J19K24-EA STW8C2SA-J19K24-GA STW8C2SA-J19K24-HA STW8C2SA-J19K26-CA STW8C2SA-K21K26-BA STW8N90K5