STWA48N60M2

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STWA48N60M2
现货
上海航霆电子技术有限公司
上海航霆电子技术有限公司
联系人：林生18701789587
电话：0755-8374259418701789587
地址：上海徐汇区漕溪路222号航天大厦16层
92430
STM
SOP
20+
-
全新原厂原装正品，只做原装，可开增票

STWA48N60M2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STWA48N60M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STWA48N60M2
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STWA48N60M2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6006
ST/意法半导体
TO-247-3
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 42A TO-247
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh??
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
42A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
70 毫欧 @ 21A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
3060pF @ 100V
功率 - 最大值
300W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 长引线
标准包装
30

STWA48N60M2 技术参数

STWA45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3470pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STWA40N95K5 功能描述:N-CHANNEL 950 V, 0.110 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:93nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3300pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STWA40N95DK5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DK5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3480pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 长引线封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STWA40N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3260pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:99 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 长引线封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STWA20N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STWBC-WATR STWD100NPWY3F STWD100NWWY3F STWD100NYWY3F STWD100PYW83F STWD100YNPWY3F STWD100YNWWY3F STWD100YNYWY3F STWH13009 STWLC03JR STWLC04JR STWLC33JR STX0560 STX112 STX112-AP STX117-AP STX13003 STX13003-AP