STY11VTA

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STY11VTA 技术参数

STY112N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 93A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:96A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 47A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16870pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY105NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 110A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:326nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9600pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY100NS20FD 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:360nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7900pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY100NM60N 功能描述:MOSFET N CH 600V 98A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:98A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:29 毫欧 @ 49A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9600pF @ 50V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STX-RLINK 功能描述:STM8, ST7, uPSD, STM32, STR7 and STR9 Raisonance In-Circuit Debugger/Programmer 制造商:stmicroelectronics 系列:Raisonance 零件状态:有效类型:在线调试器/编程器配套使用产品/相关产品:STM8，ST7，uPSD，STM32，STR7 和 STR9 内容:调试器/编程器，连接适配器，USB 缆线和软件标准包装:1 STY60NM60 STY80NM60N STZ5.6NT146 STZ6.2NFHT146 STZ6.2NT146 STZ6.8NT146 STZ6.8TT146 STZB-SK/RAIS STZC6.8NT146 STZD3155CT1G SU-1 SU-1/2 SU-1/4 SU-10 SU10000RT3U SU10000RT3U2TF SU10000RT3UG SU1000RTXL2U