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SZNZ9F18VST5G

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SZNZ9F18VST5G
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
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SZNZ9F18VST5G 技术参数

SZNUD3160LT1G 功能描述:功率驱动器IC MI INDSTR LOAD DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZNUD3160DMT1G 功能描述:功率驱动器IC 60V DUAL INDUCTIVE LOAD D RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZNUD3124LT1G 功能描述:功率驱动器IC MI INDCTV LOAD DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZNUD3124DMT1G 功能描述:功率驱动器IC 24 V DUAL INDUCTIVE LOAD RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SZL-WL-K-N 功能描述:SWITCH SNAP ACTION SPDT 10A 125V 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:SZL-WL 包装:散装零件状态:有效电路:SPDT-DB 开关功能:开-瞬时额定电流:10A（AC），6A（DC）额定电压 - AC:125V 额定电压 - DC:30V 致动器类型:螺旋弹簧安装类型:底座安装端子类型:螺丝端子侵入防护:IP67 - 防尘，防水特性:- 操作力，扭矩:150gf 释放力:- 预行程:0.787"（20.0mm）差动行程:- 超行程:- 工作位置:0.787"（20.0mm）机械寿命:10，000，000 次循环电气寿命:750，000 次循环工作温度:-10°C ~ 80°C 标准包装:5 SZNZ9F6V2ST5G SZNZ9F6V2T5G SZNZ9F6V8ST5G SZNZL7V5AXV3T1G SZP6SMB100AT3G SZP6SMB11CAT3G SZP6SMB120AT3G SZP6SMB12AT3G SZP6SMB12CAT3G SZP6SMB130AT3G SZP6SMB13AT3G SZP6SMB150AT3G SZP6SMB15AT3G SZP6SMB15CAT3G SZP6SMB160AT3G SZP6SMB16AT3G SZP6SMB16CAT3G SZP6SMB180AT3G