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SST3906T116

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功能描述
两极晶体管 - BJT 40V 200MA
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

SST3906T116 技术参数

SST38VF6404BT-70-5I-TV 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TSOP 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7 to 3.6V 64Mbit pm Parallel Advanced MPF, 48 TSOP 12x20mm T/R SST38VF6404B-70-5I-TV 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7 TO 3.6V 64MBIT PM PARALLEL ADVANCED MPF - Trays 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TSOP 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7 - 3.6V 64Mbit pm Parallel Advance MPF SST38VF6404B-70-5I-EKE-T 功能描述:闪存 2.7- 3.6V 64Mbit pm Parallel Advance MPF RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel SST38VF6404B-70-5I-EKE 功能描述:闪存 2.7- 3.6V 64Mbit pm Parallel Advance MPF RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel SST38VF6404B-70-5I-CD 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7 TO 3.6V 64MBIT PM PARALLEL ADVANCED MPF - Trays 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TFBGA 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7 - 3.6V 64Mbit pm Parallel Advance MPF SST39LF010-55-4I-WHE SST39LF020-45-4C-B3KE SST39LF020-45-4C-B3KE-T SST39LF020-45-4C-MME SST39LF020-45-4C-MME-T SST39LF020-45-4C-NHE SST39LF020-45-4C-WHE SST39LF020-55-4C-MME SST39LF020-55-4C-NHE SST39LF020-55-4C-WHE SST39LF020-55-4I-MME SST39LF020-55-4I-NHE SST39LF020-55-4I-WHE SST39LF040-45-4C-B3KE SST39LF040-45-4C-B3KE-T SST39LF040-45-4C-NHE SST39LF040-45-4C-NHE-T SST39LF040-45-4C-WHE