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STB6NK90Z

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  • STB6NK90ZT4
    STB6NK90ZT4

    STB6NK90ZT4

  • 深圳市杰世特电子有限公司
    深圳市杰世特电子有限公司

    联系人：林S

    电话：18927460633

    地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535

  • 0

  • 21+

  • 2500

  • TQFP32

  • -

  • 进口原装现货 支持实单价优

  • STB6NK90ZT4
    STB6NK90ZT4

    STB6NK90ZT4

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-8378920313332987005

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • STMicroelectronics

  • 原厂原装

  • 18+

  • -

  • 原装现货，优势供应

  • STB6NK90ZT4
    STB6NK90ZT4

    STB6NK90ZT4

  • 深圳市贸盛微电子有限公司
    深圳市贸盛微电子有限公司

    联系人：周先生

    电话：0755-8220875218127068687

    地址：深圳市罗湖区嘉宾路友谊大厦五栋3楼G

    资质：营业执照

  • 4000

  • ST

  • D2PAK

  • 1130

  • -

  • 进口原装现货

  • STB6NK90Z MOS(场效应管)
    STB6NK90Z MOS(场效应管)

    STB6NK90Z MOS(场效应管)

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人：吴小姐

    电话：13612858787

    地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • ST/意法

  • TO-263

  • 21+原装

  • -

  • 庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

  • STB6NK90Z
    STB6NK90Z

    STB6NK90Z

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：13168731828

    地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋五楼515

    资质：营业执照

  • 5000

  • ST/意法

  • 原厂封装

  • 21+

  • -

  • 全新进口原装

  • STB6NK90Z
    STB6NK90Z

    STB6NK90Z

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-837892031333298700517727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • D2PAK

  • ST

  • 17+

  • -

  • 原装正品。优势供应

  • STB6NK90ZT4
    STB6NK90ZT4

    STB6NK90ZT4

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-837892031333298700517727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • ST

  • 1130

  • 18+

  • -

  • 原装正品，欢迎订购

  • STB6NK90Z
    STB6NK90Z

    STB6NK90Z

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人：胡

    电话：13480313979

    地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质：营业执照

  • 15000

  • ST

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原装正品 专业BOM配单

  • STB6NK90ZT4
    STB6NK90ZT4

    STB6NK90ZT4

  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人：柯

    电话：0755-836658130755-83465652

    地址：深南中路佳和大厦B座907

  • 1

  • ST

  • TO-263

  • 0917+

  • -

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  • STB6NK90ZT4
    STB6NK90ZT4

    STB6NK90ZT4

  • 深圳市粤科源兴科技有限公司
    深圳市粤科源兴科技有限公司

    联系人：谢先生

    电话：13392885468

    地址：深圳市福田区华强路赛格广场大厦69楼6998室/华强电子世界三期4C159-160室

    资质：营业执照

  • 4000

  • ST

  • TO-263

  • 1130+

  • -

  • 原装现货/价格优势

  • STB6NK90ZT4
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  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-23984783

    地址：华强广场C座22K

    资质：营业执照

  • 46700

  • ST

  • ORIGINAL

  • 21+

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-channel 900V - 1.56Ω - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
STB6NK90Z 技术参数
  • STB6NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:905pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB6NK60Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:905pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STB6N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:255pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB6N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:232pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB75NF20 STB75NF75LT4 STB75NF75T4 STB75NH02LT4 STB76NF75 STB76NF80 STB78NF55-08 STB7ANM60N STB7N52K3 STB7NK80Z-1 STB7NK80ZT4 STB80N20M5 STB80N4F6AG STB80NE03L-06T4 STB80NF03L-04-1 STB80NF03L-04T4 STB80NF10T4 STB80NF55-06-1
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