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STP5NK80ZFP

配单专家企业名单
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  • STP5NK80ZFP
    STP5NK80ZFP

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

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  • 36200

  • STM

  • TO220-3

  • 18+

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  • 原装正品,欢迎订购

  • STP5NK80ZFP
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  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

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    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • ST

  • 22+

  • -
  • 原装正品

STP5NK80ZFP PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
STP5NK80ZFP 技术参数
  • STP5NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 欧姆 @ 2.15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):910pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP5NK65ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 2.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):680pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP5NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):690pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP5NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):690pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP5NK52ZD 功能描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):520V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):529pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP60NF10 STP60NH2LL STP62NS04Z STP65NF06 STP6C0.2M STP6C0.2MBL STP6C0.2MBU STP6C0.2MGR STP6C0.2MGY STP6C0.2MIG STP6C0.2MRD STP6C0.2MYL STP6C0.5M STP6C0.5MBL STP6C0.5MBU STP6C0.5MGR STP6C0.5MGY STP6C0.5MIG
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