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STTH108

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功能描述
整流器 1.0 Amp 800 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

STTH108 技术参数

STTH106 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH102RL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:970mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH102AY 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 制造商:stmicroelectronics 系列:Q 汽车级包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:970mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC）工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH102A 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:970mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC）工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH102 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1A DO41 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:970mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH10R04B STTH10R04B-TR STTH10R04D STTH10R04FP STTH10R04G STTH10R04G-TR STTH110 STTH110A STTH110RL STTH110UFY STTH112 STTH112A STTH112RL STTH112U STTH112UFY STTH12002TV1 STTH12003TV1 STTH12004TV1