参数资料
型号: S1ZB20
元件分类: 桥式整流
英文描述: 0.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封装: 1Z, 4 PIN
文件页数: 1/2页
文件大小: 361K
代理商: S1ZB20
Bridge Diode
16
J534
S1ZB
I
800V 0.8A
Dual In-Line Package
I
Package
1Z
SMD
Package
1Z
THD
Unit
Absolute Maximum Ratings
l
Item
Symbol Conditions
Type No.
Storage Temperature
Operation Junction Temperature
Maximum Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
Peak Surge Forward Current
Forward Voltage
Reverse Current
Thermal Resistance
l
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25
50Hz sine wave,
Resistance load, Ta = 25
Pulse measurement, per diode
per diode
Junction to Lead
Junction to Ambient
Electrical Characteristics
l
Current Squared Time
On alumina substrate
On glass-epoxy substrate
On alumina substrate
On glass-epoxy substrate
S1ZB20 S1ZB60 S1ZB80
RATINGS
OUTLINE
Z62N
Z60N
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PDF描述
S1ZB60 0.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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S20L60-4012 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
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相关代理商/技术参数
参数描述
S1ZB20_05 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:MINI-BRIDGE RECTIFIERS
S1ZB20-4062 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
S1ZB20-4072 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
S1ZB20-4102 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
S1ZB20-7062 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube