型号: | S1ZB20 |
元件分类: | 桥式整流 |
英文描述: | 0.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封装: | 1Z, 4 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 361K |
代理商: | S1ZB20 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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S1ZB60 | 0.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S20L60-4000 | 20 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
S20L60-4012 | 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
S30L60-4012 | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SF3L20U-4000 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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S1ZB20_05 | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:MINI-BRIDGE RECTIFIERS |
S1ZB20-4062 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S1ZB20-4072 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S1ZB20-4102 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S1ZB20-7062 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |