参数资料
型号: S71WS512ND0BAWEH
厂商: SPANSION LLC
元件分类: 存储器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
封装: 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
文件页数: 121/214页
文件大小: 3554K
代理商: S71WS512ND0BAWEH
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页当前第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页
May 16, 2005 cellram_04_A0
1.8V 128Mb CellularRAM Type 2
205
Advance
Information
1RWHV
1RQGHIDXOW %&5 VHWWLQJV IRU DV\QFKURQRXV:ULWH IROORZHGE\ EXUVW 5HDG )L[HG RU YDULDEOH ODWHQF\ ODWHQF\ FRGH WZR
WKUHH FORFNV :DLW DFWLYH /RZ :DLW DVVHUWHGGXULQJGHOD\
:KHQ WUDQVLWLRQLQJ EHWZHHQ DV\QFKURQRXV DQG YDULDEOHODWHQF\ EXUVW RSHUDWLRQV &( PXVW JR +LJK &( FDQ VWD\ /RZ
ZKHQ WUDQVLWLRQLQJ WR IL[HGODWHQF\EXUVW5HDGV $UHIUHVK RSSRUWXQLW\ PXVWEH SURYLGHGHYHU\W&(0$ UHIUHVK
RSSRUWXQLW\LVVDWLVILHG E\HLWKHU RIWKHIROORZLQJ WZR FRQGLWLRQVD FORFNHG&( +LJKRU E &( +LJK IRU ORQJHU WKDQ
QV
Figure 32.23
Asynchronous Write Followed by Burst Read
Table 32.30
Write Timing Parameters – Asynchronous Write Followed by Burst Read
Symbol
Min
Max
Units
Symbol
Min
Max
Units
Symbol
Min
Max
Units
W$9+
QV
W&:
QV
W96
QV
W$6
QV
W'+
QV
W:&
QV
W$96
QV
W':
QV
W:3
QV
W$:
QV
W93
QV
W:3+
QV
W%:
QV
W93+
QV
W:5
QV
W&96
QV
Table 32.31
Read Timing Parameters – Asynchronous Write Followed by Burst Read
Symbol
Min
Max
Units
Symbol
Min
Max
Units
Symbol
Min
Max
Units
W$&/.
QV
W&/.
QV
W.2+
QV
W%2(
QV
W&63
QV
W2+=
QV
W&%3+
QV
W+'
QV
W63
QV
W&(:
QV
tCLK
tSP
tHD
tSP
tOHZ
tKOH
tACLK
High-Z
tAVS
tAVH
tAW
tWR
tVP
tVS
A[22:0]
VIH
VIL
ADV#
VIH
VIL
OE#
VIH
VIL
WE#
VIH
VIL
WAIT
DQ[15:0]
IN/OUT
VOH
VOL
CLK
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
CE#
VIH
VIL
LB#/UB#
VIH
VIL
tCW
tCVS
tWPH
tAS
tWP
tWC
tDH
tDW
High-Z
tHD
tSP
tCEW
tSP tHD
tCSP
tWC
tBW
tHD
tBOE
tCBPH
tVPH
Note 2
Undefined
Don’t Care
Valid Output
Valid Address
Data
Valid Address
Valid Output Valid Output Valid Output
Data
相关PDF资料
PDF描述
S72NS512PE0AHGL02 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA133
S7911 PIN PHOTO DIODE
S7978 PHOTO DIODE
S7BA-06E1A0 2-OUTPUT 30 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
S8002CPTA-FREQ2 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 27 MHz - 125 MHz, TTL OUTPUT
相关代理商/技术参数
参数描述
S71WS512ND0BAWEJ0 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP)
S71WS512ND0BAWEJ2 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP)
S71WS512ND0BAWEJ3 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP)
S71WS512ND0BAWEK0 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP)
S71WS512ND0BAWEK2 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP)