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参数资料
| 型号： | SI4170DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4355pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1662 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI4170DY-T1-GE3DKR |
New Product
Si4170DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.0035 at V GS = 10 V
0.0045 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
30
27
Q g (Typ.)
29 nC
?
?
?
?
Halogen-free
TrenchFET ? Power MOSFET
100 % R g Tested
100 % Avalanche Tested
RoHS
COMPLIANT
APPLICATIONS
? Notebook PC Core
- Low Side Switch
SO-8
D
S
S
1
2
8
7
D
D
S
G
3
4
6
5
D
D
G
Top View
Ordering Information: Si4170DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 20
30
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
22.8
21.8 b, c
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
17.3 b, c
70
5.4
2.7 b, c
40
80
A
mJ
T C = 25 °C
6
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
3.3
3.0 b, c
W
T A = 70 °C
1.9 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient b, d t ≤ 10 s
Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State
Symbol
R thJA
R thJF
Typical
33
16
Maximum
42
21
Unit
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.
Document Number: 68396
S-81054-Rev. A, 12-May-08
www.vishay.com
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