参数资料
型号: SI4174DY-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 1/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
标准包装: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.5 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 985pF @ 15V
功率 - 最大: 5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
其它名称: SI4174DY-T1-GE3DKR
New Product
Si4174DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.0095 at V GS = 10 V
0.013 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
17
14.5
Q g (Typ.)
8 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g and UIS Tested
APPLICATIONS
? Notebook CPU Core
- High-Side Switch
SO-8
D
S
S
1
2
8
7
D
D
S
G
3
4
6
5
D
D
G
Top V ie w
S
Orderin g Information: Si4174DY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
N -Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 20
17
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
13.5
12 b, c
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
9.6 b, c
50
4.5
2.2 b, c
20
20
A
mJ
T C = 25 °C
5
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
3.2
2.5 b, c
W
T A = 70 °C
1.6 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJF
38
20
50
25
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.
Document Number: 68998
S-82773-Rev. A, 17-Nov-08
www.vishay.com
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