产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 | 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
产品目录绘图 | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® | FET 型 | N 和 P 沟道 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.2A,4.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 14.5 毫欧 @ 9.6A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.8V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI4511DY-T1-E3CT |
SI4511DY-T1-E3 同类产品
型号 | ECQ-E4684KFW | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 阵列 |
制造商 | Panasonic Electronic Components | 描述 | CAP FILM 0.68UF 400VDC RADIAL |
标准包装 | 1,000 | 系列 | ECQ-E(F) |
电容 | 0.68µF |
额定电压 - AC | - |
额定电压 - DC | 400V |
电介质材料 | 聚酯,金属化 |
容差 | ±10% |
ESR(等效串联电阻) | - |
工作温度 | -40°C ~ 105°C |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 径向 |
尺寸/尺寸 | 1.024" L x 0.276" W(26.00mm x 7.00mm) |
高度 - 座高(最大) | 0.846"(21.50mm) |
端子 | PC 引脚 |
引线间隔 | 0.591"(15.00mm) |
特点 | 通用 |
应用 | - |
包装 | 散装 |
其它名称 | ECQE4684KFW |
型号 | 742700713 | 数量 | 468 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 阵列 |
制造商 | Wurth Electronics Inc | 描述 | FERRITE CORE 3.5MM OD |
标准包装 | 500 | 系列 | WE-SAFB |
滤波器类型 | 圆形缆线,单股 |
形状 | 圆柱 |
频率 | 100MHz |
阻抗 | 58 欧姆 |
封装/外壳 | 3.50mm 外径 x 1.30mm 内径 x 5.00mm L |
包装 | 托盘 |
其它名称 | 732-3994 |
型号 | FXO-HC730R-1.3 | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 阵列 |
制造商 | Fox Electronics | 描述 | OSC 1.3 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
标准包装 | 1 | 系列 | FXO-HC73, XPRESSO |
类型 | XO(标准) |
频率 | 1.3MHz |
功能 | 三态(输出启用) |
输出 | HCMOS |
电源电压 | 3.3V |
频率稳定性 | ±100ppm |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
电流 - 电源(最大) | 32mA |
额定值 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
尺寸/尺寸 | 0.295" L x 0.205" W(7.50mm x 5.20mm) |
高度 | 0.055"(1.40mm) |
封装/外壳 | 6-SMD,无引线(DFN,LCC) |
包装 | 剪切带 (CT) |
电流 - 电源(禁用)(最大) | - |
型号 | ECQ-E4185JFW | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 阵列 |
制造商 | Panasonic Electronic Components | 描述 | CAP FILM 1.8UF 400VDC RADIAL |
标准包装 | 1,000 | 系列 | ECQ-E(F) |
电容 | 1.8µF |
额定电压 - AC | - |
额定电压 - DC | 400V |
电介质材料 | 聚酯,金属化 |
容差 | ±5% |
ESR(等效串联电阻) | - |
工作温度 | -40°C ~ 105°C |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 径向 |
尺寸/尺寸 | 1.220" L x 0.433" W(31.00mm x 11.00mm) |
高度 - 座高(最大) | 1.004"(25.50mm) |
端子 | PC 引脚 |
引线间隔 | 0.886"(22.50mm) |
特点 | 通用 |
应用 | - |
包装 | 散装 |
其它名称 | ECQE4185JFW |
型号 | 32221 | 数量 | 可订货 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 阵列 |
制造商 | Wiha | 描述 | TOOL NUT DRVR INSUL 8.0MM 243MM |
标准包装 | 1 | 系列 | - |
类型 | 螺母扳手 |
尺寸 | 0.315"(8.0mm) |
特点 | SoftFinish? 手柄,绝缘达 1000V |
长度 - 叶片 | 5.00"(125mm) |
长度 - 总体 | 9.60"(243mm) |
重量 | 0.25 磅(113.4g) |
型号 | 445C33S12M00000 | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 阵列 |
制造商 | CTS-Frequency Controls | 描述 | CRYSTAL 12.00000 MHZ SERIES SMD |
标准包装 | 1,000 | 系列 | 445 |
类型 | MHz 晶体 |
频率 | 12MHz |
频率稳定性 | ±30ppm |
频率公差 | ±30ppm |
负载电容 | 系列 |
ESR(等效串联电阻) | 50 欧姆 |
工作模式 | 基谐 |
工作温度 | -20°C ~ 70°C |
额定值 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 2-SMD |
尺寸/尺寸 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) |
高度 | 0.053"(1.35mm) |
包装 | 带卷 (TR) |
型号 | 74270073 | 数量 | 500 |
RoHS | 否 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 阵列 |
制造商 | Wurth Electronics Inc | 描述 | FERRITE CORE 3.5MM OD |
标准包装 | 500 | 系列 | WE-SAFB |
滤波器类型 | 圆形缆线,单股 |
形状 | 圆柱 |
频率 | 100MHz |
阻抗 | 50 欧姆 |
封装/外壳 | 3.50mm 外径 x 1.20mm 内径 x 4.00mm L |
包装 | 托盘 |
其它名称 | 732-4017 |
型号 | HM86-20780LFTR | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 阵列 |
制造商 | TT Electronics/BI | 描述 | CHOKE COMM MODE 780UH 1.2A SMD |
标准包装 | 600 | 系列 | HM86 |
滤波器类型 | 电源线 |
线路数 | 2 |
电感 | 780µH |
电流 | 1.2A |
DC 电阻(DCR) | 最大 92.3 毫欧 |
阻抗 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
尺寸/尺寸 | 0.563" L x 0.563" W(14.30mm x 14.30mm) |
高度(最大) | 0.236"(6.00mm) |
封装/外壳 | 水平式,4 扁平引线 |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
包装 | 带卷 (TR) |
型号 | ECQ-E4224JF3 | 数量 | 可订货 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 阵列 |
制造商 | Panasonic Electronic Components | 描述 | CAP FILM 0.22UF 400VDC RADIAL |
标准包装 | 500 | 系列 | ECQ-E(F) |
电容 | 0.22µF |
额定电压 - AC | - |
额定电压 - DC | 400V |
电介质材料 | 聚酯,金属化 |
容差 | ±5% |
ESR(等效串联电阻) | - |
工作温度 | -40°C ~ 105°C |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 径向 |
尺寸/尺寸 | 0.728" L x 0.232" W(18.50mm x 5.90mm) |
高度 - 座高(最大) | 0.709"(18.00mm) |
端子 | PC 引脚 |
引线间隔 | 0.197"(5.00mm) |
特点 | 通用 |
应用 | - |
包装 | 带盒(TB) |
其它名称 | ECQE4224JF3 |
型号 | SI4511DY-T1-E3 | 数量 | 2,500 |
RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | |
产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 阵列 |
制造商 | Vishay Siliconix | 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
产品目录绘图 | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
标准包装 | 2,500 |
系列 | TrenchFET® | FET 型 | N 和 P 沟道 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.2A,4.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 14.5 毫欧 @ 9.6A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.8V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI4511DY-T1-E3TR |