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参数资料
| 型号： | SI4940DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4940DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
40
R DS(on) ( Ω )
0.036 at V GS = 10 V
0.059 at V GS = 4.5 V
I D (A)
5.7
4.4
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D 1
D 2
SO-8
S 1
1
8
D 1
G 1
S 2
G 2
2
3
4
7
6
5
D 1
D 2
D 2
G 1
G 2
Top View
Ordering Information: Si4940DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
S 1
S 2
Si4940DY -T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
40
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
5.7
4.5
30
4.2
3.4
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
1.8
0.9
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
2.1
1.3
- 55 to 150
1.1
0.7
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
50
90
28
60
110
34
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71649
S09-0704-Rev. D, 27-Apr-09
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32676E1475K | CAP FILM 4.7UF 750VDC RADIAL |
| 5707.0201.313 | MOD POWER ENTRY W/FILTER 2A |
| FXO-LC738-24.576 | OSC 24.576 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 5707.0201.312 | MOD POWER ENTRY W/FILTER 2A |
| B32933A3564M | FILM CAP 0.56UF 20% 305V MKT X2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4940DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4941EDY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 30V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4942DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4942DY-T1 | 功能描述:MOSFET 40V 7.4A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4942DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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