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参数资料
| 型号： | SI7403BDN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 74 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 9.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7403BDN-T1-GE3DKR |
Si7403BDN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
T J = 150 °C
25 °C, unless otherwise noted
0.30
0.25
I D = 5.1 A
10
0.20
T J = 25 °C
0.15
T A = 125 °C
0.10
T A = 25 °C
0.05
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
30
25
20
15
5
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
0.1
0.01
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
1
1s
10 s
DC
10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS( on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73333
S-83051-Rev. B, 29-Dec-08
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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| SI7404DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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