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10A03-T

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 说明
  • 操作
  • 10A03-T
    10A03-T

    10A03-T

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01

  • 69880

  • DIODES/美台

  • R6

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • 10A03-T
    10A03-T

    10A03-T

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 2060

  • DIODES IN

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共6条 
  • 1
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  • 功能描述
  • 整流器 10A 200V
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
10A03-T 技术参数
  • 10A030 功能描述:TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):24V 频率 - 跃迁:2.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:7.8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值:13W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 200mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 工作温度:200°C(TJ) 安装类型:接线柱安装 封装/外壳:55FT 供应商器件封装:55FT 标准包装:1 10A02-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:150pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A01-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 10A R-6 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:150pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 10A01-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:150pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A015 功能描述:TRANS RF BIPO 6W 750MA 55FT2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):24V 频率 - 跃迁:2.7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:9dB ~ 9.5dB 功率 - 最大值:6W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):750mA 工作温度:200°C(TJ) 安装类型:接线柱安装 封装/外壳:55FT 供应商器件封装:55FT 标准包装:1 10AS016C3U19I2SG 10AS016C4U19E3LG 10AS016C4U19E3SG 10AS016C4U19I3LG 10AS016C4U19I3SG 10AS016E3F27E1HG 10AS016E3F27E1SG 10AS016E3F27E2LG 10AS016E3F27E2SG 10AS016E3F27I1HG 10AS016E3F27I1SG 10AS016E3F27I2LG 10AS016E3F27I2SG 10AS016E3F29E1HG 10AS016E3F29E1SG 10AS016E3F29E2LG 10AS016E3F29E2SG 10AS016E3F29I1HG
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