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10A09

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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10A09 技术参数
  • 10A07-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:80pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A06-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:80pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:500 10A060 功能描述:TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):24V 频率 - 跃迁:1GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值:21W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 400mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 工作温度:200°C(TJ) 安装类型:接线柱安装 封装/外壳:55FT 供应商器件封装:55FT 标准包装:1 10A05-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:80pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A04-T 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:150pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10AS016E3F27E1HG 10AS016E3F27E1SG 10AS016E3F27E2LG 10AS016E3F27E2SG 10AS016E3F27I1HG 10AS016E3F27I1SG 10AS016E3F27I2LG 10AS016E3F27I2SG 10AS016E3F29E1HG 10AS016E3F29E1SG 10AS016E3F29E2LG 10AS016E3F29E2SG 10AS016E3F29I1HG 10AS016E3F29I1SG 10AS016E3F29I2LG 10AS016E3F29I2SG 10AS016E4F27E3LG 10AS016E4F27E3SG
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