10ETF12SPBF

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

10ETF12SPBF
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
29932
IR
TO-263
21+
-
原厂原装现货

10ETF12SPBF
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
IR/VIS
TO-263AB(D2Pak)
22+
-
十年配单，只做原装

10ETF12SPBF
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
IR
TO-263
23+
-
原装正品欢迎咨询

10ETF12SPBF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
IR
TO263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
Vishay Semiconductors
功能描述
Diode, Fast Recovery, 1200V, D2-PAK
制造商
Vishay Intertechnologies
功能描述
NewInputDiodes-D2PAK-e3

10ETF12SPBF 技术参数

10ETF12S 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:310ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263AB（D2PAK）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 10ETF12FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:310ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 整包供应商器件封装:TO-220AC 整包工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 10ETF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:310ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 10ETF10STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:310ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263AB（D2PAK）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 10ETF10STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:310ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263AB（D2PAK）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 10ETS12STRR 10-F40-10 10FHY-RSM1-GAN-TF(LF)(SN) 10FLH-SM1-TB(LF)(SN)(F) 10FLT-SM2-TB(LF)(SN) 10FLZ-RSM1-TB 10FLZ-SM1-TB 10FLZT-SM1-TF(LF)(SN)(P) 10FMN-BMT-A-TF 10FMN-BMT-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTR-A-TB 10FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-BMTTN-A-TF 10FMN-BMTTN-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTTR-A-TB 10FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-SMT-A-TF 10FMN-SMT-A-TF(LF)(SN)