12FR614

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12FR614 技术参数

12FR60B BN BK R 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.26V @ 38A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 12FR40B BN BK R 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.26V @ 38A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 12FR20B BN BK R 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.26V @ 38A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 12FR10B BN BK R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.26V @ 38A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 12FR100E 功能描述:RES 0.1 OHM 2W 1% AXIAL 制造商:ohmite 系列:10 包装:散装零件状态:有效电阻（欧姆）:0.1 容差:±1% 功率（W）:2W 成分:金属元素特性:电流感应，非电感温度系数:±50ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 275°C 封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向大小/尺寸:0.094" 直径 x 0.417" 长（2.40mm x 10.60mm）高度:- 端子数:2 标准包装:10 12HR1-S 12HR-4K 12HR-4K-P-N 12HR-6S 12HR-6S-P-N 12HX400FR 12IMR40-24-2 12-J20 12-J20-20 12-J20-30 12-J20-40 12-J20-60 12JQ-BT 12JQ-ST 12KR-6H-P 12KR-D6S-P 12LRS103C 12LRS104C