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195N2050

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195N2050 技术参数
  • 195M30 功能描述:20mH Unshielded Inductor 30A 45 mOhm Nonstandard 制造商:hammond manufacturing 系列:195 包装:散装 零件状态:有效 类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:20mH 容差:±15% 额定电流:30A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):45 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:6.000" 长 x 7.630" 宽(152.40mm x 193.80mm) 高度 - 安装(最大值):5.160"(131.06mm) 标准包装:1 195M20 功能描述:20mH Unshielded Inductor 20A 75 mOhm Nonstandard 制造商:hammond manufacturing 系列:195 包装:散装 零件状态:有效 类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:20mH 容差:±15% 额定电流:20A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):75 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:6.000" 长 x 7.500" 宽(152.40mm x 190.50mm) 高度 - 安装(最大值):5.000"(127.00mm) 标准包装:1 195M10 功能描述:20mH Unshielded Inductor 10A 13 mOhm Nonstandard 制造商:hammond manufacturing 系列:195 包装:散装 零件状态:有效 类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:20mH 容差:±15% 额定电流:10A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):13 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:4.500" 长 x 4.750" 宽(114.30mm x 120.65mm) 高度 - 安装(最大值):3.750"(95.25mm) 标准包装:1 195J50 功能描述:10mH Unshielded Inductor 50A 23 mOhm Nonstandard 制造商:hammond manufacturing 系列:195 包装:散装 零件状态:有效 类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:10mH 容差:±15% 额定电流:50A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):23 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:9.000" 长 x 9.750" 宽(228.60mm x 247.65mm) 高度 - 安装(最大值):7.500"(190.50mm) 标准包装:1 195J30 功能描述:10mH Unshielded Inductor 30A 37 mOhm Nonstandard 制造商:hammond manufacturing 系列:195 包装:散装 零件状态:有效 类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:10mH 容差:±15% 额定电流:30A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):37 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:6.000" 长 x 7.500" 宽(152.40mm x 190.50mm) 高度 - 安装(最大值):5.000"(127.00mm) 标准包装:1 195P5S144 195P5S36 195P5S72 195P72 195R10 195R20 195S144 195S36 195S72 195T10 195T5 196 1960 1960000 1960-0-00-15-00-00-03-0 1960002712 1960012091T00S 1960013
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