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1EZ110D5

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1EZ110D5
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
5000
美微科/MCC
NA
23+
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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
Zener Diodes

1EZ110D5 技术参数

1EZ110D2E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:570 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1EZ110D2E3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:570 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1EZ110D2/TR8 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:570 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1EZ110D2/TR12 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:570 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1EZ110D10E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 110V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:570 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 83.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1EZ120D10/TR8 1EZ120D10E3/TR12 1EZ120D10E3/TR8 1EZ120D2/TR12 1EZ120D2/TR8 1EZ120D2E3/TR12 1EZ120D2E3/TR8 1EZ120D5/TR12 1EZ120D5/TR8 1EZ120D5E3/TR12 1EZ120D5E3/TR8 1EZ120DE3/TR12 1EZ120DE3/TR8 1EZ130D/TR12 1EZ130D/TR8 1EZ130D10/TR12 1EZ130D10/TR8 1EZ130D10E3/TR12