1N1184RB

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1N1184RB 技术参数

1N1184R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:5 1N1184AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N1184A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N1184 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:5 1N1183R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:5 1N1187A 1N1187AR 1N1187R 1N1188 1N1188A 1N1188AR 1N1188R 1N1189 1N1189A 1N1189AR 1N1189R 1N1190 1N1190A 1N1190AR 1N1190R 1N1191 1N1191A 1N1192