1N1199CR

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1N1199CR
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
275
isc,iscsemi
DO-4,DO-203AA
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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1

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
Silicon Power Rectifiers

1N1199CR 技术参数

1N1199C 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N1199BR 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N1199B 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N1199AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 12A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N1199A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 12A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N1201AR 1N1201B 1N1201BR 1N1201C 1N1201R 1N1202 1N1202A 1N1202AR 1N1202B 1N1202BR 1N1202C 1N1202R 1N1203 1N1203A 1N1203AR 1N1203B 1N1203BR 1N1203C