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1N3003BJAN

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  • 标准国际(香港)有限公司
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    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

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1N3003BJAN 技术参数
  • 1N3003B 功能描述:DIODE ZENER 82V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):82V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):25 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 62.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3003A 功能描述:DIODE ZENER 82V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):82V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):25 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 62.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3002RB 功能描述:DIODE ZENER 75V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):22 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3002B 功能描述:DIODE ZENER 75V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):22 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3002A 功能描述:DIODE ZENER 75V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):22 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3007A 1N3007B 1N3007RB 1N3008A 1N3008B 1N3008RB 1N3009A 1N3009B 1N3009RB 1N3010A 1N3010B 1N3011A 1N3011B 1N3011RB 1N3012A 1N3012B 1N3012RB 1N3013A
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