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1N3005BR

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  • 制造商
  • NAINA
  • 制造商全称
  • Naina Semiconductor ltd.
  • 功能描述
  • 10 WATT ZENER DIODES
1N3005BR 技术参数
  • 1N3005B 功能描述:DIODE ZENER 100V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):40 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3005A 功能描述:DIODE ZENER 100V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):40 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3004RB 功能描述:DIODE ZENER 91V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):91V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 69.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3004B 功能描述:DIODE ZENER 91V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):91V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 69.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3004A 功能描述:DIODE ZENER 91V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):91V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 69.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3009A 1N3009B 1N3009RB 1N3010A 1N3010B 1N3011A 1N3011B 1N3011RB 1N3012A 1N3012B 1N3012RB 1N3013A 1N3013B 1N3014A 1N3014B 1N3014RB 1N3015A 1N3015B
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