1N3966A

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1N3966A 技术参数

1N3957GP-M3/73 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO-204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件状态:停產标准包装:3,000 1N3957GP-M3/54 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO-204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件状态:停產标准包装:5,500 1N3957GPHE3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:3,000 1N3957GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,500 1N3957GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:3,000 1N3996A 1N3996RA 1N3997 1N3997A 1N3997RA 1N3998 1N3998A 1N3999 1N3999A 1N4001 1N4001 BK 1N4001 TR 1N4001/54 1N4001-B 1N4001B-G 1N4001-E3/53 1N4001-E3/54 1N4001-E3/73