1N4001G.

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
Standard Recovery Rectifier

1N4001G. 技术参数

1N4001G R1G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1N4001G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1N4001G BK 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束标准包装:2,000 1N4001G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 1N4001G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4001GPE-E3/73 1N4001GPE-E3/91 1N4001GPEHE3/54 1N4001GPEHE3/73 1N4001GPEHE3/91 1N4001GPE-M3/54 1N4001GPE-M3/73 1N4001GPHE3/54 1N4001GPHE3/73 1N4001GPHM3/54 1N4001GP-M3/54 1N4001GP-M3/73 1N4001G-T 1N4001L-T 1N4001RL 1N4001RLG 1N4001-T 1N4001TA