1N4103-TR

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功能描述
稳压二极管 .25W 5% Lw Noise/Lvl
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N4103-TR 技术参数

1N4103-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4103 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 400MW DO204AH 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.92V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-204AH（DO-35 玻璃）标准包装:1 1N4103 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO204AH 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.92V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-204AH（DO-35 玻璃）标准包装:1 1N4102UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4102UR 功能描述:DIODE ZENER 8.7V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6.61V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N4105 (DO35) 1N4105UR 1N4105UR-1 1N4106 1N4106 (DO35) 1N4106-1 1N4106UR 1N4106UR-1 1N4107 1N4107 (DO35) 1N4107-1 1N4107UR 1N4107UR-1 1N4108 (DO35) 1N4108-1 1N4108UR 1N4108UR-1 1N4109