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1N4104-TR

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  • 功能描述
  • 稳压二极管 .25W 5% Lw Noise/Lvl
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
1N4104-TR 技术参数
  • 1N4104-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N4104 TR 功能描述:DIODE ZENER 10V 250MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 7.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4104 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 10V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 7.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4104 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N4103UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N4106UR 1N4106UR-1 1N4107 1N4107 (DO35) 1N4107-1 1N4107UR 1N4107UR-1 1N4108 (DO35) 1N4108-1 1N4108UR 1N4108UR-1 1N4109 1N4109 (DO35) 1N4109UR 1N4109UR-1 1N4110 1N4110 (DO35) 1N4110-1
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