1N4148-1TAMP;R

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1N4148-1TAMP;R 技术参数

1N4148-1E3 功能描述:GLASS AXIAL SWITCHING DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4148-1/TR 功能描述:GLASS AXIAL SWITCHING DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N4148-1 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4148_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N4148_T50A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N4148T-73 1N4148T-77 1N4148TA 1N4148-TAP 1N4148-TP 1N4148TR 1N4148TR_S00Z 1N4148UB 1N4148UB2 1N4148UB2R 1N4148UBCA 1N4148UBCC 1N4148UBD 1N4148UR-1 1N4148UR-1/TR 1N4148W RHG 1N4148W-13-F 1N4148W-7