1N4448WVGS08

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1N4448WVGS08
深圳市华芯盛世科技有限公司
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vishay
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1N4448WVGS08 技术参数

1N4448WTR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4448W-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4448WT 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523F 供应商器件封装:SOD-523F 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4448WSTR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4448WSQ-7-F 功能描述:DIODE FAST REC 75V 0.25A SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4454-TAP 1N4454TR 1N4454-TR 1N4454UR-1 1N4458 1N4458R 1N4459 1N4459R 1N4460 1N4460 BK 1N4460 TR 1N4460US 1N4461 1N4461 BK 1N4461 TR 1N4461US 1N4462 1N4462 BK