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1N4735-6.2V

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1N4735-6.2V 技术参数
  • 1N4735 G 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1 1N4734UR-1 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB 标准包装:1 1N4734PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500 1N4734PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:4,000 1N4734P/TR8 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500 1N4735A_T50R 1N4735AE3/TR13 1N4735AG 1N4735AP/TR12 1N4735AP/TR8 1N4735APE3/TR12 1N4735APE3/TR8 1N4735A-T 1N4735A-T50A 1N4735A-T50R 1N4735ATA 1N4735A-TAP 1N4735A-TP 1N4735ATR 1N4735A-TR 1N4735AUR 1N4735CE3/TR13 1N4735CP/TR12
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