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1N4735-COS

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1N4735-COS 技术参数
  • 1N4735CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:5,000 1N4735AUR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB 标准包装:1 1N4735A-TR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4735ATR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4735A-TP 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41G 标准包装:1 1N4735PE3/TR12 1N4735PE3/TR8 1N4736 G 1N4736A 1N4736A BK 1N4736A G 1N4736A TR 1N4736A,113 1N4736A,133 1N4736A_NT50A 1N4736A_S00Z 1N4736A_T50A 1N4736A_T50R 1N4736AE3/TR13 1N4736AP/TR12 1N4736AP/TR8 1N4736APE3/TR12 1N4736APE3/TR8
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