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1N4735A-TAP(NOPB)

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • 原厂

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  • 原装现货,优势供应

  • 1N4735A-TAP(NOPB)
    1N4735A-TAP(NOPB)

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  • 永利电子元器件深圳有限公司
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    联系人:全迎

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1N4735A-TAP(NOPB) 技术参数
  • 1N4735A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 1N4735ATA 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4735A-T50R 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 基本零件编号:1N4735 标准包装:1 1N4735A-T50A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 基本零件编号:1N4735 标准包装:1 1N4735A-T 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4735E3/TR13 1N4735G A0G 1N4735G R0G 1N4735P/TR12 1N4735P/TR8 1N4735PE3/TR12 1N4735PE3/TR8 1N4736 G 1N4736A 1N4736A BK 1N4736A G 1N4736A TR 1N4736A,113 1N4736A,133 1N4736A_NT50A 1N4736A_S00Z 1N4736A_T50A 1N4736A_T50R
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