1N4735AT/R

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1N4735AT/R
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
853240
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1N4735AT/R 技术参数

1N4735A-T 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4735APE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4735APE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4735AP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4735AP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4735CP/TR12 1N4735CP/TR8 1N4735CPE3/TR12 1N4735CPE3/TR8 1N4735E3/TR13 1N4735G A0G 1N4735G R0G 1N4735P/TR12 1N4735P/TR8 1N4735PE3/TR12 1N4735PE3/TR8 1N4736 G 1N4736A 1N4736A BK 1N4736A G 1N4736A TR 1N4736A,113 1N4736A,133