1N4750AT9-E

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1N4750AT9-E
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
HIT
DO-41
22+
-
全新原装现货供应

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1N4750AT9-E 技术参数

1N4750A-T50A 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 20.6V 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 基本零件编号:1N4750 标准包装:1 1N4750A-T 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 20.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4750APE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 20.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4750APE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 20.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4750AP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 20.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4750CPE3/TR12 1N4750CPE3/TR8 1N4750E3/TR13 1N4750G A0G 1N4750G R0G 1N4750P/TR12 1N4750P/TR8 1N4750PE3/TR12 1N4750PE3/TR8 1N4751 G 1N4751A 1N4751A A0G 1N4751A B0G 1N4751A BK 1N4751A G 1N4751A R0G 1N4751A R1G 1N4751A TR