1N4754/39V

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1N4754/39V
深圳市时兴宇电子有限公司
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联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
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DO-41
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1N4754/39V 技术参数

1N4754 G 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N4753PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4753PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4753P/TR8 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4753P/TR12 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4754A_T50R 1N4754AE3/TR13 1N4754AG 1N4754AHA0G 1N4754AHB0G 1N4754AHR0G 1N4754AHR1G 1N4754AP/TR12 1N4754AP/TR8 1N4754APE3/TR12 1N4754APE3/TR8 1N4754A-T 1N4754A-T50A 1N4754ATA 1N4754A-TAP 1N4754A-TP 1N4754A-TR 1N4754AUR