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1N4754A_T50R

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功能描述
稳压二极管 39V 1W Zener
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N4754A_T50R 技术参数

1N4754A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4754A TR 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4754A R1G 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 29.7V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 1N4754A R0G 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 29.7V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 1N4754A G 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N4754APE3/TR8 1N4754A-T 1N4754A-T50A 1N4754ATA 1N4754A-TAP 1N4754A-TP 1N4754A-TR 1N4754AUR 1N4754CE3/TR13 1N4754CP/TR12 1N4754CP/TR8 1N4754CPE3/TR12 1N4754CPE3/TR8 1N4754E3/TR13 1N4754G A0G 1N4754G R0G 1N4754P/TR12 1N4754P/TR8