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1N4764AT/B

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1N4764AT/B
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
20000
EIC
Standard
2024+
-
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1N4764AT/B 技术参数

1N4764A-T 功能描述:DIODE ZENER 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3000 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 1N4764APE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4764APE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4764AP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N4764AP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4764E3/TR13 1N4764P/TR12 1N4764P/TR8 1N4764PE3/TR12 1N4764PE3/TR8 1N4765 1N4765A 1N4766 1N4766A 1N4767 1N4767A 1N4768 1N4768A 1N4769 1N4769A 1N4770 1N4770A 1N4771