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1N5231D

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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

    地址:办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 制造商
  • LRC
  • 制造商全称
  • Leshan Radio Company
  • 功能描述
  • 1N52 SERIES ZENER DIODES
1N5231D 技术参数
  • 1N5231C-TR 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5231CTR 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5231C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5231C 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5231BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N5232B_T50A 1N5232B_T50R 1N5232B-T 1N5232BTA 1N5232B-TAP 1N5232B-TP 1N5232BTR 1N5232B-TR 1N5232BUR-1 1N5232C-TAP 1N5232C-TR 1N5232TA 1N5233A 1N5233A (DO-35) 1N5233B 1N5233B (DO-35) 1N5233B A0G 1N5233B BK
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