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1N5235BCNCT

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    1N5235BCNCT

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

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1N5235BCNCT 技术参数
  • 1N5235B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5235B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5235B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5235B TR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5235B BK 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5235C-TR 1N5235TA 1N5236A 1N5236A (DO-35) 1N5236B 1N5236B (DO-35) 1N5236B A0G 1N5236B BK 1N5236B TR 1N5236B_S00Z 1N5236B_T26A 1N5236B_T50A 1N5236B_T50R 1N5236BDO35 1N5236BDO35E3 1N5236B-T 1N5236BTA 1N5236B-TAP
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