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1N5239B-TP

配单专家企业名单
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  • 1N5239B-TP(MCC)
    1N5239B-TP(MCC)

    1N5239B-TP(MCC)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 6450000

  • MCC

  • NA

  • 2024+

  • -
  • 代理商库房现货

  • 1N5239B-TP(MCC)
    1N5239B-TP(MCC)

    1N5239B-TP(MCC)

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • MCC

  • 标准封装

  • 10+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • 1N5239B-TP(MCC)
    1N5239B-TP(MCC)

    1N5239B-TP(MCC)

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • MCC

  • 标准封装

  • 10+

  • -
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  • 功能描述
  • 稳压二极管 500mW 9.1V
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
1N5239B-TP 技术参数
  • 1N5239B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5239BTA 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 6.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5239B-T 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5239BDO35 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5239B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5240B (DO-35) 1N5240B A0G 1N5240B BK 1N5240B TR 1N5240B_S00Z 1N5240B_T50A 1N5240B_T50R 1N5240BDO35 1N5240B-T 1N5240BTA 1N5240B-TAP 1N5240B-TP 1N5240BTR 1N5240B-TR 1N5240BUR-1 1N5240C-TAP 1N5240C-TR 1N5240TA
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