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1N5239DRL

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
1N5239DRL 技术参数
  • 1N5239C-TR 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5239C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5239BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5239B-TR 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5239BTR 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5240B_T50A 1N5240B_T50R 1N5240BDO35 1N5240B-T 1N5240BTA 1N5240B-TAP 1N5240B-TP 1N5240BTR 1N5240B-TR 1N5240BUR-1 1N5240C-TAP 1N5240C-TR 1N5240TA 1N5241A 1N5241A (DO-35) 1N5241B 1N5241B (DO-35) 1N5241B A0G
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