1N5257D

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Zener Single 33V 1% 500mW 2-Pin DO-35

1N5257D 技术参数

1N5257C-TR 功能描述:DIODE ZENER 3.8A 33V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5257C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 3.8A 33V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5257BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5257B-TR 功能描述:DIODE ZENER 3.8A 33V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5257BTR 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5258B_T50R 1N5258B-T 1N5258BTA 1N5258B-TAP 1N5258B-TP 1N5258B-TR 1N5258BUR-1 1N5258C-TAP 1N5258C-TR 1N5258TA 1N5259A 1N5259A (DO-35) 1N5259B 1N5259B (DO-35) 1N5259B A0G 1N5259B BK 1N5259B TR 1N5259B_T50A