1N5264BTA2

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1N5264BTA2 技术参数

1N5264B-T 功能描述:DIODE ZENER 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:60V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1400 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 46V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5264BDO35 功能描述:DIODE ZENER 60V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:60V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 46V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5264B TR 功能描述:DIODE ZENER 60V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:60V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 46V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5264B BK 功能描述:DIODE ZENER 60V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:60V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 46V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5264B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 60V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:60V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 46V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5265B 1N5265B (DO-35) 1N5265B TR 1N5265BDO35 1N5265BDO35E3 1N5265B-T 1N5265B-TAP 1N5265B-TP 1N5265B-TR 1N5265BUR-1 1N5265C-TAP 1N5265C-TR 1N5266 1N5266A 1N5266A (DO-35) 1N5266B 1N5266B (DO-35) 1N5266B BK