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1N5349BT/R

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1N5349BT/R
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
51300
EIC
Standard
2024+
-
绝对装原现货

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1N5349BT/R 技术参数

1N5349BRLG 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N5349BRL 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:10 1N5349BG 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1,000 1N5349BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 8.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5349BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 8.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5350/TR12 1N5350/TR8 1N5350A/TR12 1N5350A/TR8 1N5350AE3/TR12 1N5350AE3/TR13 1N5350AE3/TR8 1N5350B 1N5350B/TR12 1N5350B/TR8 1N5350BE3/TR12 1N5350BE3/TR13 1N5350BE3/TR8 1N5350BG 1N5350BRL 1N5350BRLG 1N5350B-TP 1N5350C/TR12