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1N5356B-T

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功能描述
稳压二极管 5.0W 19V
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N5356B-T 技术参数

1N5356BRLG 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:* 零件状态:新产品电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 114V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 标准包装:1 1N5356BRL 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 14.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:4,000 1N5356BG 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 14.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1,000 1N5356BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5356BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5357/TR12 1N5357/TR8 1N5357A/TR12 1N5357A/TR8 1N5357AE3/TR12 1N5357AE3/TR13 1N5357AE3/TR8 1N5357B 1N5357B/TR12 1N5357B/TR8 1N5357BE3/TR12 1N5357BE3/TR13 1N5357BE3/TR8 1N5357BG 1N5357BRL 1N5357BRLG 1N5357B-TP 1N5357C/TR12