1N565O

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1N565O 技术参数

1N5659A 功能描述:TVS DIODE 102VWM 165VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:102V 电压 - 击穿（最小值）:114V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:165V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9.1A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5659 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5658A 功能描述:TVS DIODE 94VWM 152VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:94V 电压 - 击穿（最小值）:105V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:152V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9.9A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5658 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5657A 功能描述:TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:85.5V 电压 - 击穿（最小值）:95V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:137V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:11A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5664A 1N5665 1N5665A 1N5711 1N5711#T25 1N5711#T50 1N5711-1 1N5711UB 1N5711UBCA 1N5711UBCC 1N5711UR-1 1N5711W-7 1N5711W-7-F 1N5711WS-7 1N5711WS-7-F 1N5712 1N5712#T25 1N5712-1