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1N5816JV 技术参数

1N5816 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5815R 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5815 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5814R 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5814 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:300pF @ 10V，1MHz 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5817-B 1N5817-E3/53 1N5817-E3/54 1N5817-E3/73 1N5817G 1N5817HA0G 1N5817HB0G 1N5817HR0G 1N5817HR1G 1N5817M-13 1N5817RL 1N5817RLG 1N5817-T 1N5817-TP 1N5818 1N5818 A0G 1N5818 B0G 1N5818 BK